摘要标题：
暴露于脉冲 900 MHZ 电磁场的 E mu-Pim1 转基因小鼠中的淋巴瘤。
摘要来源：Radiat Res。 1997 年 5 月；147(5)：631-40。 PMID：9146709
摘要作者：M H Repacholi、A Basten、V Gebski、D Noonan、J Finnie、A W Harris
文章隶属关系：M H Repacholi
摘要：是否射频（RF） ）领域是否致癌存在争议；流行病学数据尚无定论，动物试验也有限。本研究的目的是确定长期暴露于类似于数字移动通信中使用的脉冲调制射频场是否会增加 E mu-Pim1 转基因小鼠的淋巴瘤发病率，这些小鼠具有自发性发展淋巴瘤的中度倾向。对 100 只雌性 E mu-Pim1 小鼠进行假暴露，其中 101 只每天暴露两次，每次 30 分钟，持续长达 18 个月。900 MHz 的波场，脉冲重复频率为 217 Hz，脉冲宽度为 0.6 ms。入射功率密度为2.6-13 W/m2，比吸收率为0.008-4.2 W/kg，平均为0.13-1.4 W/kg。研究发现，暴露小鼠患淋巴瘤的风险显着高于对照组（OR = 2.4。P = 0.006，95% CI = 1.3-4.5）。滤泡性淋巴瘤是肿瘤发病率增加的主要原因。因此，长期间歇性暴露于射频场会增加携带淋巴瘤致癌基因的小鼠患淋巴瘤的可能性。我们建议，这种遗传上易患癌症的小鼠提供了一个实验系统，可以更详细地评估射频场暴露后癌症风险的剂量反应关系。