摘要标题：
急性电磁场暴露引起的自发低频振荡的改变。
摘要来源：临床神经生理学。 2013 年 9 月 4 日。Epub 2013 年 9 月 4 日。PMID：24012322
摘要作者：吕斌、陈志业、吴同宁、邵庆、燕朵、马琳、陆可、谢毅
文章所属单位：中国电信科学研究院工业和信息化部研究部，北京，中国；中国科学院大学，中国北京。
摘要：目的：本研究的动机是评估可能的长期进化 (LTE) 信号的急性射频电磁场 (RF-EMF) 暴露（30 分钟）引起的区域静息状态大脑活动的改变。
方法：我们设计了一个c可控近场 LTE RF-EMF 暴露环境。十八名受试者参加了双盲、交叉、随机和平衡实验，包括两个阶段（真实暴露和假暴露）。辐射源靠近右耳。然后在两次暴露前后收集人脑的静息态 fMRI 信号。我们测量了低频波动 (ALFF) 和分数 ALFF (fALFF) 的幅度来表征自发大脑活动。
结果：<真实曝光后，我们发现左侧颞上回、左侧颞中回、右侧颞上回、右侧额内侧回和右侧中央旁小叶周围的ALFF值下降。右侧额叶内侧回和右侧中央旁小叶的 fALFF 值也降低。
结论：该研究提供了明显的研究表明，30 分钟的 LTE RF-EMF 暴露调节了某些大脑区域的自发低频波动。
意义：静息状态fMRI，我们发现急性 LTE RF-EMF 暴露引起的自发低频波动的改变。