摘要标题：
635nm 发光二极管照射对 CoCl(2) 暴露的 HUVEC 血管生成的影响。
摘要来源：Lasers Surg Med。 2011 年 4 月；43(4)：344-52。 PMID：21500230
摘要作者：Won Bong Lim、Ji Sun Kim、Young Jong Ko、HyukIl Kwon、Sang Woo Kim、Heung Kee Min、Oksu Kim、Hong Ran Choi、Ok Joon Kim
文章隶属关系：Won Bong Lim
摘要：背景和目标： 众所周知，导致活性氧（ROS）产生的缺氧/缺血条件是伤口愈合中血管生成的重要介质 过程。最近，在许多临床领域使用的 635 nm 低强度光照射被发现可以降低细胞内 ROS 水平，从而减轻氧化应激。第 635 章在体外 CoCl(2) 诱导的严重缺氧模型中，m 发光二极管 (LED) 照射对人脐静脉内皮细胞血管生成的影响。
研究设计/材料和方法：评估对细胞活力、管形成、缺氧诱导因子-1、血管的影响内皮生长因子 (VEGF)、VEGF-1 和 -2 蛋白表达、丝裂原激活蛋白激酶 (MAPK) 磷酸化和 ROS 解离。
结果：结果表明，在缺氧/缺血条件下，635照射会导致细胞内ROS的产生减少和清除增加，从而减轻 VEGFR-1 抑制、增强 VEGF 表达和 ERK MAPK 激活，并随后加速血管生成，改善细胞活力和管形成。
结论：综合起来，635 nm 照射可减少细胞内 ROS 的产生，从而增加血管生成。因此，我们认为 635 nm 照射可加速缺氧/缺血条件下的血管生成，并可能被证明是伤口愈合的一种有用的替代工具。